Axiom 8GB (2 x 4GB) DDR3-1333 Low Voltage ECC RDIMM Kit for HP - AT108A
Axiom 8GB (2 x 4GB) DDR3-1333 Low Voltage ECC RDIMM Kit for HP - AT108A
$1,889
Kit Axiom 8GB (2x4GB) DDR3-1333 Low Voltage ECC RDIMM para HP (AT108A). Memoria ECC registrada, 1.35V, compatible con servidores HP.
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Ficha técnica
- Capacidad total: 8GB (Kit de 2 x 4GB)
- Tipo de memoria: DDR3 SDRAM
- Velocidad: 1333 MHz (DDR3-1333 / PC3-10600)
- Voltaje: 1.35V (Low Voltage)
- ECC: Sí, memoria con corrección de errores (ECC)
- Formato: RDIMM (Registered DIMM)
- Pines: 240-pin
- Compatibilidad: Servidores HP (equivalente al part number OEM AT108A)
- Tipo de registro: Registrada (Registered)
- Características adicionales: Bajo consumo de energía, alto ancho de banda y densidad, componentes de grado superior
Descripción
Axiom 8GB (2 x 4GB) DDR3-1333 Low Voltage ECC RDIMM Kit for HP - AT108A
El módulo de memoria Axiom 8GB DDR3-1333 Low Voltage ECC RDIMM Kit (2 x 4GB) para HP, con referencia AT108A, está diseñado para mejorar el rendimiento de las computadoras mediante la adición de 8 GB de memoria RAM en una configuración de dos módulos de 4 GB cada uno. Este kit utiliza tecnología DDR3L SDRAM con una interfaz que sincroniza señales eléctricas y de reloj para lograr una transferencia de datos eficiente, operando a una velocidad de hasta 1333 MHz con un tiempo de latencia CAS de CL9 y un voltaje reducido de 1.35 V, lo que contribuye a un consumo de energía más bajo. Equipado con corrección de errores ECC y procesamiento de señales registrado, este módulo RDIMM de factor de forma 240 pines ofrece un mayor ancho de banda y densidad en comparación con generaciones anteriores, permitiendo un rendimiento superior en aplicaciones exigentes como juegos modernos y software pesado. La tecnología DDR3 duplica prácticamente la velocidad de DDR2 al proporcionar tasas de datos más rápidas, y su diseño eficiente asegura una operación estable con una garantía limitada de por vida, haciendo que sea una solución confiable para sistemas compatibles con HP que requieren memoria de bajo voltaje y corrección de errores.

